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截止状态 即关断状态。这是基极电流Ib≤0的结果。

在截止状态，GTR只有很微弱的漏电流流过，因此，其功耗是微不足道的。

GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，工作过程中，总是在饱和状态间进行交替。所以，逆变用的GTR的额定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR处于放大状态，其功耗将增大达百倍以上。所以，逆变电路中的GTR是不允许在放大状态下小作停留的。

安川H1000变频器主要参数

⑴在截止状态时

①击穿电压Uceo和Ucex：能使集电极C和发射极E之间击穿的小电压。基极B开路是用　Uceo表示，B、E间接入反向偏压时用Ucex 表示。在大多数情况下，这两个数据是相等的。

②漏电流Iceo 和 Icex：截止状态下，从C极流向E极的电流。B极开路时为 Iceo，B、E间反偏时为 Icex。

⑵在饱和状态时

① 集电极大电流Icm：GTR饱和导通是的大允许电流。

② 饱和压降Uces：当GTR饱和导通时，C、E间的电压降。

⑶yaskawa H1000变频器在开关过程中

① 开通时间Ton：从B极通入正向信号电流时起，到集电极电流上升到0.9 Ics 所需要的时间。

② 关断时间Toff：从基极电流撤消时起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的时间

开通时间和关断时间将直接影响到SPWM调制是的载波频率。通常，使用GTR做逆变管时的载波频率底于2KHz。

安川H1000变频器用GTR的选用

⑴Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。

Uceo≥2厂2U 　在电源电压为380V的变频器中，应有 Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用 Uceo=1200V的GTR是适宜的。

⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择　 Icm≥2厂2 In 　 GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。 我告诉大家的是MOSFET以及IGBT

1、 功率场效应晶体管（POWER MOSFET） 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G

其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。

但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在安川H1000变频器中的应用尚不能居主导地位。

2、 绝缘栅双极晶体管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。

工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。

至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，集电极大饱和电流已超过1500A，由IGBT作为逆变器件的yaskawa H1000变频器容量已达到250KVA以上

此外，其工作频率可达20KHZ。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10KHZ以上，故电动机的电源波形比较平滑，基本无电磁噪声。

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