LU 欠电压 电源电压降低，使主电路直流电压低到欠电压检出值以下时,保护功能动作.

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FUJI变频器在开关过程中

① 开通时间Ton：从B极通入正向信号电流时起，到集电极电流上升到0.9 Ics 所需要的时间。

② 关断时间Toff：从基极电流撤消时起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的时间

开通时间和关断时间将直接影响到SPWM调制是的载波频率。通常，使用GTR做逆变管时的载波频率底于2KHz。

FUJI变频器用GTR的选用

⑴Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。

Uceo≥2厂2U 　在电源电压为380V的变频器中，应有 Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用 Uceo=1200V的GTR是适宜的。

⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择　 Icm≥2厂2 In 　 GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。 告诉大家的是MOSFET以及IGBT

1、 功率场效应晶体管（POWER MOSFET） 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G

其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大 等优点。

但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在G11S变频器中的应用尚不能居主导地位。

2、 绝缘栅双极晶体管（IGBT） IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。

工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。

至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，集电极大饱和电流已超过1500A，由IGBT作为逆变器件的5000P11S变频器容量已达到250KVA以上。

此外，其工作频率可达20KHZ。由IGBT作为逆变器件的G1S变频器的载波频率一般都在10KHZ以上，故电动机的电源波形比较平滑，基本无电磁噪声。

在富士变频器工作时，流过F1S变频器的电流是很大的, 变频器产生的热量也是非常大的，不能忽视其发热所产生的影响

通常，富士变频器安装在控制柜中。我们要了解一台富士变频器的发热量大概是多少. 可以用以下公式估算: 　 发热量的近似值= 变频器容量（KW）×55 [W]

在这里, 如果F1S变频器容量是以恒转矩负载为准的 (过流能力150% * 60s)

如果变频器带有直流电抗器或交流电抗器, 并且也在柜子里面, 这时发热量会更大一些。 电抗器安装在FUJI变频器侧面或测上方比较好。

这时可以用估算: 富士变频器容量（KW）×60 [W]

因为各型号FUJI变频器的硬件都差不多, 所以上式可以针对各型号的产品.

注意： 如果有制动电阻的话，因为制动电阻的散热量很大， 因此好安装位置好和变频器隔离开， 如装在柜子上面或旁边等。